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| 品牌 | P+F/德國倍加福 |
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德國P+F倍加福對射型光電傳感器
對射型光電傳感器發(fā)射器與接收器位于獨立的兩個殼體中。發(fā)射器發(fā)送的光直接被接收器接收。如果物體遮住了光束，開關(guān)功能觸發(fā)。
對射型光電傳感器常用于遠距離檢測，穩(wěn)定性好，能量強。對射型光電傳感器的特性也決定了它適用于多塵和較臟的工業(yè)環(huán)境。
監(jiān)測生產(chǎn)以及包裝流水線
通過透明的外包裝檢測產(chǎn)品灌裝情況
保護自動門的危險區(qū)域
作為轉(zhuǎn)換元件的傳感器。它可用于檢測直接引起光量變化的非電量，如光強、光照度、輻射測溫、氣體成分分析等；也可用來檢測能轉(zhuǎn)換成光量變化的其他非電量，如零件直徑、表面粗糙度、應(yīng)變、位移、振動、速度、加速度，以及物體的形狀、工作狀態(tài)的識別等。光電式傳感器具有非接觸、響應(yīng)快、性能可靠等特點，因此在工業(yè)自動化裝置和機器人中獲得廣泛應(yīng)用。近年來，新的光電器件不斷涌現(xiàn)，特別是CCD圖像傳感器的誕生，為P+F傳感器的進一步應(yīng)用開創(chuàng)了新的一頁。
P+F接近傳感器基本品種：NBB,NBN,NEB,NCB,NJ,SJ,FJ,RJ,NMB
常用型號如下：NBN40-L2-E2-V1 NBN40-L2-A2-V1 NBN8-18GM50-E2-V1 連接插頭V1-G
NBB2-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E2-V1
NJ4-12GM40-E2
NBB2-12GM50-E2
NJ5-18GM-N
NBB2-12GM50-E0-V1
德國P+F倍加福對射型光電傳感器
NBN5-F7-E2
NBN5-F7-E0
NJ4-12GM40-E2-V1
NJ40+U1+W
NBB2-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0
NJ8-18GM-N
NBB4-12GM50-E0-V1
NBN8-18GM50-E2
NJ15+U1+E2
NBB4-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0-V1
NJ15+U1+W
NBB5-18GM50-E0
NBN8-18GM50-E2-V1
NJ20+U1+E2
NBB5-18GM50-E2
NBN8-18GM40-Z0
NJ20+U1+W
NBB10-30GM50-E0
NBN8-18GM60-WS
NJ30+U1+W
NBB10-30GM50-E2
NBN8-18GM60-WO
NJ30+U1+E2
NBB15-30GM50-WS
NBN15-30GM50-E2
NJ1.5-8GM-N
NBB15-30GM50-WO
NBN15-30GM50-E0
NJ2-12GM-N
NBB20-L2-E2-V1
NBN15-30GM40-Z0
NJ4-12GM-N
NBN4-12GM50-E0-V1
NBN4-12GM50-E2
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
NBN4-12GM50-E0
NCN25-F35-A2-250-V1
德國P+F倍加福壓阻式傳感器
壓阻式傳感器是根據(jù)半導體材料的壓阻效應(yīng)在半導體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感 材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用zui為普遍。
